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芯片HAST測試技術規范
芯片HAST測試技術規范
詳情說明 / Details

適用范圍:  

該試驗檢查芯片長期貯存條件下,高溫和時間對器件的影響。本規范適用于量產芯片驗證測試階段的HAST測試需求,僅針對非密封封裝(塑料封裝),帶偏置(bHAST)和不帶偏置(uHAST)的測試。

簡介:

該試驗通過溫度、濕度、大氣壓力加速條件,評估非密封封裝器件在上電狀態下,在高溫、高壓、潮濕環境中的可靠性。它采用了嚴格的溫度,濕度,大氣壓、電壓條件,該條件會加速水分滲透到材料內部與金屬導體之間的電化學反應。

引用文件:

下列文件中的條款通過本規范的引用而成為本規范的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內容)或修訂版均不適用于本規范,然而,鼓勵根據本規范達成協議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本規范。

參考標準

1.  HAST測試流程

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HAST測試流程

2.  HAST測試條件

2.1 溫度、濕度、氣壓、測試時間  HAST試驗條件如下表所示:

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溫度、濕度、氣壓、測試時間

? 通常選擇HAST高壓加速老化試驗箱RK-HAST-350,即:130℃、85%RH、230KPa大氣壓,96hour測試時間。

? 測試過程中,建議調試階段監控芯片殼溫、功耗數據推算芯片結溫,要保證結溫不能過 高,并在測試過程中定期記錄。結溫推算方法參考《HTOL測試技術規范》。

? 如果殼溫與環溫差值或者功耗滿足下表三種關系時,特別是當殼溫與環溫差值超過 10℃時,需考慮周期性的電壓拉偏策略。

殼溫與環溫差值或者功耗

? 注意測試起始時間是從環境條件達到規定條件后開始計算;結束時間為開始降溫降壓操 作的時間點。

2.2 電壓拉偏

uHAST測試不帶電壓拉偏,不需要關注該節;

bHAST需要帶電壓拉偏,遵循以下原則:

(1) 所有電源上電,電壓:最大推薦操作范圍電壓(Maximum Recommended Operating Conditions)

(2) 芯片功耗最小(數字部分不翻轉、輸入晶振短接、其他降功耗方法);

(3) 輸入管腳在輸入電壓允許范圍內拉高。

(4) 其他管腳,如時鐘端、復位端、輸出管腳在輸出范圍內隨機拉高或者拉低;

2.3 樣本量

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3.  HAST設備

? 高溫、高壓、濕度控制試驗箱(HAST高壓加速老化試驗箱)——溫度、濕度、氣壓強度范圍可控,測試時間可控。

4.  失效判據

? ATE\功能篩片有功能失效、性能異常。

5.  HAST測試注意事項

? 測試過程要求每天記錄電源電壓、電流、環境溫度、殼溫(推算結溫)等關鍵數據。

? 注意芯片內部模擬電路是否有上電默認開啟的模塊,這樣的模塊會導致靜態電流太大,引起其他機制的失效。

? 調試過程注意,考慮到較大的電流引起壓降,電壓等的記錄應該是到板電壓,而不是電源源端電壓。

? 調試過程注意,室溫條件下的電源電壓與規定要求下的電源電壓不同,可以在室溫下初調,待試驗環境到達HAST設定條件后做最終調試。


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